基本半導體榮獲“中國芯”優秀技術創新產品獎

10月25日,第十四屆“中國集成電路產業促進大會”在青島舉辦,現場揭曉了“中國芯”優秀產品征集結果,基本半導體車規級全碳化矽功率模塊(BMB200120P1)榮獲優秀技術創新產品獎。“中國芯”是國內集成電路產業的最高榮譽,被譽為我國集成電路設計業發展的風向標


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工業和信息化部電子信息司司長喬躍山出席活動並發表致辭

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基本半導體董事長汪之涵博士(左起第五位)登台領獎


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中國集成電路產業促進大會現場


集成電路產業是國家戰略性新興產業。“中國芯”優秀產品征集活動旨在征集國內集成電路領域產品創新、技術創新和應用創新成果,打造中國集成電路產業高端公共品牌,並發揮示範效應,促進我國集成電路產業發展。本屆“中國芯”優秀產品征集活動設有“年度重大創新突破產品、優秀技術創新產品、優秀市場表現產品、優秀技術成果轉化項目”四大獎項,自啟動以來得到國內集成電路企業和上下遊廠商的高度關注,共收到來自125家芯片企業、187款芯片產品的報名材料,創曆史新高,涵蓋了國內最優秀的集成電路企業,代表著我國集成電路產業最先進的發展水平。


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2019年“中國芯”優秀產品展示

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第十四屆“中國芯”優秀技術創新產品獎


基本半導體本次獲獎的車規級全碳化矽功率模塊,內部集成兩單元1200V/200A碳化矽MOSFET和碳化矽續流二極管。碳化矽MOSFET采用了最新的設計生產工藝,在柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項參數上達到業內領先水平。單模塊采用半橋拓撲結構,200A輸出電流能力可有效減少逆變器中功率器件數量,降低係統設計難度,提升係統可靠性,並使用了業內主流的單麵水冷散熱形式,為高效電機控製器設計提供便利。


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基本半導體車規級全碳化矽功率模塊


車規級全碳化矽功率模塊主要為新能源汽車應用設計,提升動力係統逆變器轉換效率、縮小體積、降低重量,進而提高新能源汽車的能源效率和續航裏程。今年9月,青銅劍科技聯合基本半導體發布了基於上述車規級全碳化矽功率模塊的新能源汽車電機控製器解決方案,可實現最大功率150kW@800Vdc,最大工作開關頻率100kHz,輸入電壓範圍300~800Vdc,三相輸出電流240A,功率密度達30kW/L。


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基於車規級全碳化矽功率模塊的新能源汽車電機控製器解決方案


基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內外知名高校博士團隊創立,專注於碳化矽功率器件的研發與產業化,是中國第三代半導體行業領軍企業。基本半導體自主研發的650V~1200V/2A~40A全電流電壓等級碳化矽二極管、首款國產工業級1200V碳化矽MOSFET係列產品已實現量產並推向市場,車規級全碳化矽功率模塊已完成首批工程樣品並聯合國內一線主機廠開展測試,性能均達到國際先進水平,廣泛應用於新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。


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中國集成電路產業促進大會現場


“中國芯”優秀產品征集活動的成功舉辦,為國內集成電路設計企業提供了集中展示實力和信心的舞台,推動國產芯片行業的自主創新,加快“中國芯”市場化、產業化的步伐。未來,基本半導體將再接再厲,以創新、專注的工匠精神,懷揣中國芯,追夢新時代!


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