​Cree加速擴充SiC產能

美國化合物大廠Cree昨日在其官方公眾號宣布,公司於去年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進技術並滿足車規級標準的 200 mm 碳化矽(SiC)功率和射頻(RF)製造工廠。而現在,該工廠目前已經完成基礎工程施工,並開始主體工程施工。

 
Cree表示,這一新製造工廠旨在顯著提升用於 Wolfspeed 碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)業務的產能,將建設成為一座規模龐大、高度自動化且具備更高生產能力的工廠。這一位於紐約州的先進 fab,和位於北卡羅萊納州的超級材料工廠(mega materials factory),將創建在美國東海岸的碳化矽(SiC)走廊,推進碳化矽(SiC)被更為快速地采用。
 

Cree將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能


去年五月,Cree方麵宣布,作為公司長期增長戰略的一部分,將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能,在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。這項標誌著公司迄今為止最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化镓業務提供動能。在2024年全部完工之後,這些工廠將極大增強公司SiC碳化矽材料性能和晶圓製造產能,使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業市場帶來巨大技術轉變。
 
Cree首席執行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化矽的優勢來驅動創新所產生的巨大效益。但是,現有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對於SiC碳化矽的需求。今天,我們宣布了公司迄今在生產製造的最大投資,將大幅地提升供應,幫助客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方麵的巨大投入,將為我們顯著擴大產能。與2017財年第一季度(也就是我們開始擴大產能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC碳化矽晶圓製造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化矽材料和器件在δ來5年乃至更長遠的預期增長。”
 
這項計劃將為業界領先的Wolfspeed SiC碳化矽業務提供附加產能。通過增建現有的建築設施,作為麵積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓製造工廠,邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設計成能夠全麵滿足汽車認證的工廠,其生產提供的晶圓表麵積將會是今天現有的18倍,剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現有在達勒姆的生產和材料工廠轉變為一座材料超級工廠。
 
Cree首席執行官Gregg Lowe先生同時還表示:“這些SiC碳化矽製造超級工廠,將加速當今最快增長市場的創新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動汽車的行駛裏程並減少充電時間,同時支持5G網絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化矽和GaN氮化镓技術和製造有史以來最大的資本投資,也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實現提供最先進技術的200mm fab,並且成本大約僅為一座新fab的1/3。”
 
擴大的園區將創造高科技就業機會,並提供先進製造人才發展計劃。Cree計劃與州、當地和四年製院校開展培訓項目,為新工廠所帶來的長期、高端就業和成長機遇提供人才儲備。
 

羅姆和昭和電工也在擴充SiC產能


羅姆在早前發布新聞稿宣稱,將擴增使用於電動車 (EV) 等用途的碳化矽 (SiC) 電源控製芯片產能,將在旗下生產子公司「ROHM Apollo」的築後工廠 (福岡縣) 內興建新廠房,預計於 2019 年 2 月動工、2020 年 12 月完工。此外,羅姆於 SiC 電源控製芯片事業策略說明會上表示,將投資約 200 億日圓,於 2020 年倍增 SiC 電源控製芯片產能,而羅姆也考慮於宮崎縣進行增產投資,在 2025 年 3 月底前累計將投資 600 億日圓,屆時將 SiC 電源控製芯片產能大幅擴增至 2016 年度 16 倍。
 
另外,日本昭和電工也多次發表了產能擴充聲明。該公司之前分別於 2017 年 9 月、2018 年 1 月宣布增產 SiC 晶圓,不過因 SiC 製電源控製晶片市場急速成長、為了因應來自顧客端旺盛的需求,因此決定對 SiC 晶圓進行第 3 度的增產投資。昭和電工 SiC 晶圓月產能甫於 2018 年 4 月從 3,000 片提高至 5,000 片 (第 1 次增產),且將在2019年 9 月進一步提高至 7,000 片 (第 2 次增產),而進行第 3 度增產投資後,將在 2019 年 2 月擴增至 9,000 片的水準、達現行 (5,000 片) 的 1.8 倍。
 
除了晶圓供應商擴產,下遊的代工廠也在加速布局,迎接即將爆發的 SiC 熱潮。
 
X-Fab 在去年九月宣布,計劃將其位於德克薩斯州 6 英寸 SiC 工藝工廠產能翻番,以滿足客戶對高效功率半導體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍,X-Fab德州工廠購買了第二台加熱離子注入機,用於製造 6 英寸 SiC 晶圓。預計到在 2019 年第一季度及時生產,以滿足預計的近期需求。
 
X-Fab 德州工廠的 Lloyd Whetzel 說:“隨著 SiC 的日益普及,我們早就明白,提高離子注入能力是我們在 SiC 市場上的持續製造成功的關鍵。但這隻是我們針對特定 SiC 製造工藝改進的總體資本計劃的第一步這體現了 X-Fab 對 SiC 行業的承諾,並保持我們在 SiC 鑄造業務中的領導地位。
 
來自我國台灣地區的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布,決定擴大碳化矽(SiC)產能,董事會決議斥資 3.4 億元新建置 6 吋 SiC 生產線,為台灣地區第一家率先擴增 SiC 產能的代工廠,預計明年下半年可以展開試產。據了解,漢磊目前已建立 4 吋 SiC 製程月產能約 1500 片,預計將現有 6 吋晶圓廠部分生產線改為 SiC 製程生產線,先把製程建立起來,以滿足車載、工控產品等客戶強勁需求,因 6 吋的 SiC 售價達 4000 美元(約 12 萬台幣),估計每月隻要產出 2000 到 3000 片,帶動營收就可望增加 2、3 億元以上。
 
芯片廠方麵,意法半導體、羅姆、英飛淩和力特等廠商都在卯足勁擴充自己的勢力,這個市場的一場角逐大戰,必將打響。


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